• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:
    本發明之平面面板顯示器用玻璃基板係包含以下玻璃，且熱收縮率為75 ppm以下；上述玻璃係以莫耳%表示而含有55~80%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、及3~25%之RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)，且SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17之關係，應變點為665℃以上，且失透溫度為1250℃。其中，上述所謂熱收縮率，係指使用實施升降溫速度為10℃/分、於550℃下保持2小時之熱處理後的玻璃基板之收縮量，利用下述式所求出之值。熱收縮率(ppm)={熱處理後之玻璃基板之收縮量/熱處理前之玻璃基板之長度}×106。
    公开号:TW201305082A
    申请号:TW101123650
    申请日:2012-06-29
    公开日:2013-02-01
    发明作者:Akihiro Koyama；Satoshi Ami；Manabu Ichikawa
    申请人:Avanstrate Inc；
    IPC主号:C03C3-00
    专利说明:
    平面面板顯示器用玻璃基板及其製造方法
    本發明係關於一種平面面板顯示器用玻璃基板及其製造方法。
    近年來，薄膜電晶體(Thin Film Transistor，TFT)型液晶顯示器及有機電致發光(Electro Luminescence，EL)顯示器等薄型且消耗電力較少之平面面板顯示器被廣泛用作行動設備等之顯示器。對於該等顯示器用之基板，通常使用玻璃基板。
    於TFT中存在非晶矽(a-Si)-TFT與多晶矽(p-Si)-TFT。就可實現超高精細且美麗之畫面、可實現顯示器之高耐久性、可實現顯示器之薄型/輕量化、及可實現低消耗電力化等方面而言，p-Si-TFT優於a-Si-TFT。但是，先前於p-Si-TFT之製造中需要高溫處理。因此，於製造p-Si-TFT時玻璃基板產生熱收縮及熱衝擊，故無法使用二氧化矽玻璃以外之玻璃。結果，難以於液晶顯示器中應用p-Si-TFT。
    然而，近年來開發出了降低了熱處理溫度之低溫多晶矽(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)TFT，故可將p-Si-TFT應用於平面面板顯示器。藉此，即便為行動設備等小型設備之顯示器，亦可實現高精細且美麗之畫面。
    但是，於p-Si-TFT之製造中仍需要400~600℃之高溫熱處理。於為先前之顯示器用玻璃基板之情形時，大多情況下應變點不充分高，容易產生以下問題：由於p-Si-TFT製造時之熱處理而產生較大之熱收縮，引起像素的間距偏差之問題。進而，近年來愈發要求高精細化。因此，為了抑制此種像素的間距偏差，而強烈要求減少顯示器製造時之玻璃基板之熱收縮。先前，已報告有考慮到此種熱收縮之問題而開發出之顯示器用玻璃基板(專利文獻1~3)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
    [專利文獻1]日本專利特開2002-3240號公報
    [專利文獻2]日本專利特開2004-315354號公報
    [專利文獻3]日本專利特開2007-302550號公報
    此處，玻璃基板之熱收縮可藉由提高由玻璃轉移點(以下簡稱為Tg)及應變點所代表之低溫黏性範圍內之特性(低溫黏性特性)溫度而抑制(以下，於本說明書中，作為「低溫黏性特性溫度」，以「Tg及應變點」為代表進行記載)。但是，若僅著眼於提高玻璃之Tg及應變點而進行玻璃組成之改良，則產生玻璃之耐失透性容易惡化之問題。又，若耐失透性變差，即失透溫度變高而液相黏度降低，則製法之自由度亦降低。若失透溫度變高而液相黏度降低，則例如產生使用溢流下拉法之玻璃基板之製造變困難的問題。
    因此，本發明之目的在於提供一種兼具高Tg及應變點與良好之耐失透性，進而即便於應用p-Si-TFT之顯示器中使用亦不會產生像素的間距偏差問題之平面面板顯示器用玻璃基板。
    本發明之第1形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板係包含以下玻璃，且熱收縮率為75 ppm以下；上述玻璃係以莫耳%表示而含有55~80%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、及3~25%之RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17之關係，應變點為665℃以上，且失透溫度為1250℃以下。
    其中，上述所謂熱收縮率，係指使用實施升降溫速度為10℃/分、於550℃下保持2小時之熱處理後的玻璃基板之收縮量，利用下述式所求出之值。
    熱收縮率(ppm)={熱處理後之玻璃基板之收縮量/熱處理前之玻璃基板之長度}×106
    以下之「熱收縮率」亦係同樣地定義。
    本發明之第2形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板係包含以下玻璃，且熱收縮率為60 ppm以下；上述玻璃係以莫耳%表示而含有55~80%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、及3~25%之RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0之關係，且失透溫度為1250℃以下。
    本發明之第3形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板係包含以下玻璃之玻璃基板，且於Tg下保持30分鐘後，以100℃/分冷卻至Tg-100℃，放置冷卻至室溫後，實施升降溫速度為10℃/分、於550℃下保持2小時之熱處理後的上述玻璃基板之熱收縮率為75 ppm以下；上述玻璃係以莫耳%表示而含有55~80%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、及3~25%之RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17之關係，應變點為665℃以上，且失透溫度為1250℃以下。
    又，本發明亦提供一種形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板之第1製造方法，其包括：熔融步驟，其將以下玻璃原料熔融而生成熔融玻璃，上述玻璃原料係以成為以莫耳%計而SiO2為55~80%、Al2O3為3~20%、B2O3為3~15%、RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)為3~25%，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17之關係，應變點為665℃以上，且失透溫度為1250℃以下之玻璃的方式調配而成；成形步驟，其將上述熔融玻璃成形為玻璃板；及緩冷卻步驟，其將上述玻璃板緩冷卻；並且上述玻璃板之熱收縮率為75 ppm以下。
    又，本發明亦提供一種形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板之第2製造方法，其包括：熔融步驟，其將以下玻璃原料熔融而生成熔融玻璃，上述玻璃原料係以成為以莫耳%計而SiO2為55~80%、Al2O3為3~20%、B2O3為3~15%、RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)為3~25%，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0之關係，且失透溫度為1250℃以下之玻璃的方式調配而成；成形步驟，其將上述熔融玻璃成形為玻璃板；及緩冷卻步驟，其將上述玻璃板緩冷卻；並且上述玻璃板之熱收縮率為60 ppm以下。
    本發明進而亦提供一種第1平面面板顯示器用玻璃基板，其係包含以下玻璃，且熱收縮率為75 ppm以下；上述玻璃係以莫耳%表示而含有55~80%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、及3~25%之RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17之關係，應變點為665℃以上，且失透溫度為1250℃以下。
    本發明進而亦提供一種第2平面面板顯示器用玻璃基板，其係包含以下玻璃，且熱收縮率為60 ppm以下；上述玻璃係以莫耳%表示而含有55~80%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、及3~25%之RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0之關係，且失透溫度為1250以下。
    本發明之玻璃基板可兼具高Tg及應變點與良好之耐失透性。因此，根據本發明，可提供一種由顯示器製造時之熱處理所致之熱收縮得到抑制而不產生像素的間距偏差問題之具有優異特性之玻璃基板。
    本實施形態之顯示器用玻璃基板包含以下玻璃基板：其係包含以下玻璃，該玻璃係以莫耳%表示而含有55~80%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、及3~25%之RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17之關係。又，本實施形態之顯示器用玻璃基板包含以下玻璃基板：其係包含以下玻璃，該玻璃係以莫耳%表示而含有55~80%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、及3~25%之RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0之關係。藉由滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17、更佳為(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0之關係，本實施形態之玻璃基板可維持良好之耐失透性並且提高Tg及應變點。藉由該Tg及應變點之上升，顯示器製造時之熱處理時所產生之熱收縮量得到抑制。又，若為了提高Tg及應變點而僅增加SiO2及Al2O3量並且減少B2O3量，則亦存在熔融溫度升高、熔解性降低之情形。但是，藉由使SiO2、Al2O3及B2O3滿足上述關係，亦可抑制熔解性之降低。即，本實施形態之玻璃基板可維持良好之耐失透性及良好之熔解性，並且提高Tg及應變點。
    構成本實施形態之玻璃基板之玻璃可含有5%以下之ZnO作為任意成分。於該情形時，較佳為SiO2及Al2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足SiO2+Al2O3≧70%、更佳為SiO2+Al2O3≧75%，並且RO、ZnO及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足RO+ZnO+B2O3=7~25%。
    對於構成本實施形態之玻璃基板之玻璃，可將應變點設定為660℃以上。為了更確實地抑制平面面板顯示器製造時之熱收縮，應變點較佳為665℃以上，更佳為675℃以上，進而佳為680℃以上，進而較佳為685℃以上，進而更佳為690℃以上，進一步佳為695℃以上，進一步更佳為700℃以上。
    玻璃之熔解性可藉由黏度為102.5 dPa．s時之玻璃溫度(熔融溫度)進行評價。構成本實施形態之玻璃基板之玻璃較佳為熔融溫度為1680℃以下。藉由將熔融溫度設定為1680℃以下，本實施形態之玻璃基板可具有良好之熔解性。又，若熔融溫度過低，則Tg及應變點容易降低。因此，為了實現高Tg及高應變點，必須使熔融溫度高至某種程度。因此，熔融溫度較佳為1550~1650℃，更佳為1550~1645℃，進而佳為1580~1640℃，進而較佳為1590~1630℃，進而更佳為1600~1620℃。
    熱收縮量不僅可藉由如上述之玻璃組成之調整而且亦可藉由適宜調整玻璃製造時之條件而降低。具體而言，藉由於玻璃緩冷卻時，於自Tg起至Tg-100℃之溫度範圍內以必要且充分低之速度冷卻玻璃，可減少熱收縮量。因此，本實施形態之玻璃基板藉由如上述之組成之調整以外，視需要適宜調整緩冷卻條件，可將熱收縮率設定為75 ppm以下、較佳為65 ppm以下、更佳為60 ppm以下。藉由將熱收縮率設定為75 ppm以下、較佳為65 ppm以下、更佳為60 ppm以下，即便於將本實施形態之玻璃基板用於應用p-Si-TFT之顯示器中、進而該顯示器為高精細之情形時，亦可充分抑制像素的間距偏差。為了更確實地抑制像素的間距偏差，熱收縮率較佳為55 ppm以下，更佳為50 ppm以下，進而佳為45 ppm以下，進而較佳為43 ppm以下，進而更佳為40 ppm以下，進一步佳為38 ppm以下。換言之，熱收縮率為0~75 ppm，較佳為0~65 ppm，更佳為0~60 ppm，進而較佳為0~55 ppm，進而較佳為0~50 ppm，進而較佳為0~45 ppm，進而較佳為0~43 ppm，進而較佳為0~40 ppm，進而更佳為0~38 ppm。再者，若欲使熱收縮率為0 ppm，則需要極度延長緩冷卻步驟、或於緩冷卻步驟後實施熱收縮減少處理(離線退火)，但生產性降低，成本高漲。若考慮到生產性及成本，則熱收縮率例如為3~75 ppm，較佳為5~75 ppm，更佳為5~65 ppm，進而佳為8~55 ppm，進而較佳為8~50 ppm，進而更佳為10~45 ppm，進一步佳為10~43 ppm，進一步較佳為10~40 ppm，進一步更佳為15~38 ppm。
    構成本實施形態之玻璃基板之玻璃具有1250℃以下之失透溫度。藉由將失透溫度設定為1250℃以下，可獲得構成本實施形態之玻璃基板之玻璃容易使用下拉法來成形之效果。結果可提高玻璃基板之表面品質提高，並且可降低玻璃基板之生產成本。又，若失透溫度過高，則容易產生失透而耐失透性降低。因此，本實施形態之玻璃基板之失透溫度較佳為設定為1230℃以下、更佳為1220℃以下、進而佳為1210℃以下、進而較佳為1200℃以下。另一方面，為了實現低熱收縮或低密度等平面面板顯示器用基板之特性，構成玻璃基板之玻璃之失透溫度較佳為1050℃~1250℃，更佳為1110℃~1250℃，進而佳為1150℃~1240℃，進而較佳為1160℃~1230℃，進而更佳為1170℃~1220℃。
    構成本實施形態之玻璃基板之玻璃較佳為液相黏度為104.0 dPa．s以上，更佳為104.5 dPa．s以上。藉由將液相黏度設定為104.0 dPa．s以上，容易利用浮式法成形。又，藉由將液相黏度設定為104.5 dPa．s以上，成形性進一步提高。因此，藉由將液相黏度設定為於此種範圍內，構成本實施形態之玻璃基板之玻璃容易使用下拉法(尤其係溢流下拉法)成形。結果可提高玻璃基板之表面品質，並且可降低玻璃基板之生產成本。液相黏度更佳為104.5~106.0 dPa．s，進而佳為104.5~105.9 dPa．s，進而較佳為104.6~105.8 dPa．s，進而更佳為104.6~105.7 dPa．s，進一步佳為104.7~105.7 dPa．s，進一步較佳為104.8~105.6 dPa．s，進一步更佳為104.9~105.5 dPa．s。
    關於構成本實施形態之玻璃基板之玻璃之其他物性，較佳範圍如下。
    構成本實施形態之玻璃基板之玻璃較佳為100~300℃之範圍內之平均熱膨脹係數未達37×10-7 K-1，更佳為28×10-7 K-1以上、未達36×10-7 K-1，進而佳為30×10-7 K-1以上、未達35×10-7 K-1，進而較佳為31×10-7 K-1以上、未達34.5×10-7 K-1，進而更佳為32×10-7 K-1以上、未達34×10-7 K-1。若熱膨脹係數過大，則於顯示器製造時之熱處理步驟中，熱衝擊或熱收縮量增大。另一方面，若熱膨脹係數過小，則有難以於顯示器製造時與形成於玻璃基板上之金屬及有機系接著劑等周邊材料之熱膨脹係數匹配，導致周邊構件剝離之虞。又，於p-Si-TFT製造步驟中，反覆進行急遽加熱與急遽冷卻，對玻璃基板施加之熱衝擊增大。進而，大型玻璃基板於熱處理步驟中容易產生溫度差(溫度分佈)，玻璃基板之破壞概率增大。藉由將熱膨脹係數設定為上述範圍，可降低因熱膨脹差而產生之熱應力，結果熱處理步驟中之玻璃基板之破壞概率減小。再者，就重視與形成於玻璃基板上之金屬及有機系接著劑等周邊材料之熱膨脹係數之匹配的觀點而言，構成玻璃基板之玻璃於100~300℃之範圍內之平均熱膨脹係數較佳為未達55×10-7 K-1，更佳為未達40×10-7 K-1，進而佳為28×10-7 K-1以上、未達40×10-7 K-1，進而較佳為30×10-7 K-1以上、未達39×10-7 K-1，進而更佳為32×10-7 K-1以上、未達38×10-7 K-1，進一步佳為34×10-7 K-1以上、未達38×10-7 K-1。
    若Tg過低，則耐熱性降低，又，於熱處理步驟中熱收縮增大。因此，本實施形態之玻璃基板之Tg較佳為720℃以上，更佳為740℃以上，進而佳為745℃以上，進而較佳為750℃以上，進而更佳為755℃以上，進一步佳為760℃以上。
    若密度過高，則存在玻璃基板之輕量化變困難，顯示器之輕量化變困難之情況。因此，本實施形態之玻璃基板之密度較佳為2.6 g/cm3以下，更佳為未達2.5 g/cm3，進而佳為2.45 g/cm3以下，進而較佳為2.42 g/cm3以下，進而更佳為2.4 g/cm3以下。尤其係具備p-Si-TFT之平板顯示器用玻璃基板或有機EL顯示器用玻璃基板，由於需求輕量化，故較佳為未達2.5 g/cm3，更佳為2.45 g/cm3以下，進而佳為2.42 g/cm3以下，進而較佳為2.4 g/cm3以下。
    若玻璃熔液之電阻率過低，則於將電熔解用於玻璃原料之熔解中之情形時，玻璃原料之熔解所需之電流值變得過大。因此，存在設備方面受限之情形。進而，存在產生電極之消耗增多之問題之情形。另一方面，若電阻率過高，則有熔解時電流於形成熔解槽之耐熱磚而非玻璃原料中流通，導致熔解槽破損之虞。因此，構成本實施形態之玻璃基板之玻璃於1550℃下之電阻率較佳為50~300 Ω．cm，更佳為50~250 Ω．cm，進而佳為80~240 Ω．cm，進而較佳為100~230 Ω．cm。
    若楊氏模量及比模量(楊氏模量/密度)過低，則於顯示器製造時由於自重所致的玻璃基板之彎曲，玻璃基板容易破損。尤其係寬度方向為2000 mm以上之大型玻璃基板，由彎曲所致之破損之問題變明顯。因此，本實施形態之玻璃基板之楊氏模量較佳為70 GPa以上，更佳為73 GPa以上，進而佳為74 GPa以上，進而較佳為75 GPa以上。又，本實施形態之玻璃基板之比模量較佳為28 GPa以上，更佳為29 GPa以上，進而佳為30 GPa以上，進而較佳為31 GPa以上。
    其次，對本實施形態之玻璃基板之玻璃成分進行說明。再者，以下將莫耳%簡稱為%。 (SiO2)
    SiO2為骨架成分且為必需成分。若SiO2量過少，則存在引起耐酸性降低、Tg及應變點降低、熱膨脹係數增加及耐緩衝氫氟酸(Buffered Hydrofluoride acid，BHF)降低之情形。又，亦存在難以實現低密度化之情形。另一方面，若SiO2量過多，則存在熔融溫度明顯變高，熔解及成形變困難之情形。又，亦存在耐失透性降低之情形。又，無法充分加快將玻璃薄化之情形之蝕刻速度。因此，SiO2之含有率較佳為55~80%，更佳為60~78%，進而佳為62~78%，進而較佳為65~78%，進而更佳為65~75%。再者，於為了進一步實現輕量化而含有僅未達3%之SrO+BaO之玻璃基板中，SiO2之含有率進而較佳為67~73%，進而更佳為69~72%。進而，為了充分加快將玻璃薄化之情形之蝕刻速度，SiO2之含有率進而較佳為62~78%，進而更佳為62~73%，進一步佳為64~70%。另一方面，於含有3%以上之SrO+BaO之玻璃基板中，SiO2之含有率進而較佳為65~73%，進而更佳為66~71%。 (Al2O3)
    Al2O3為抑制分相，提高Tg及應變點之必需成分。若Al2O3量過少，則玻璃容易分相。又，亦存在引起由Tg及應變點降低所致的耐熱性之降低或熱收縮率之增大、楊氏模量降低之情形。又，無法充分加快玻璃之蝕刻速度。另一方面，若Al2O3量過多，則玻璃之失透溫度上升，耐失透性降低，故成形性惡化。因此，Al2O3之含有率較佳為3~20%，更佳為5~18%，進而佳為5~15%。再者，於為了進一步實現輕量化而含有僅未達3%之SrO+BaO之玻璃基板中，Al2O3之含有率進而較佳為7~13%，進而更佳為9~12%。進而，為了充分加快將玻璃薄化之情形之蝕刻速度，Al2O3之含有率進而較佳為7~15%，進而更佳為9~14%，進一步佳為10~14%。另一方面，於含有3%以上之SrO+BaO之玻璃基板中，Al2O3之含有率進而較佳為8~15%，進而更佳為10~14%。 (B2O3)
    B2O3為降低由熔融溫度所代表之高溫範圍內之黏性特性(高溫黏性特性)溫度，改善熔解性之必需成分(以下，於本說明書中，作為「高溫黏性特性溫度」，以「熔融溫度」為代表進行記載)。若B2O3量過少，則存在引起熔解性降低、耐BHF降低、耐失透性降低及熱膨脹係數增加之情形。又，亦存在密度增加而難以實現低密度化之情形。另一方面，若B2O3量過多，則存在引起Tg及應變點之降低、耐酸性降低及楊氏模量降低之情形。又，由於玻璃熔解時之B2O3之揮發，玻璃之不均質變明顯，容易產生條紋。因此，B2O3之含有率較佳為3~15%，更佳為3~13%，進而佳為3~10%。再者，於為了進一步實現輕量化而含有僅未達3%之SrO+BaO之玻璃基板中，B2O3之含有率進而較佳為3%以上、未達9.5%，進而更佳為3.5%以上、未達9.2%，進一步佳為4%以上、未達8.9%，進一步較佳為5~8.5%，進一步更佳為6~8%。進而，為了防止失透溫度之上升，B2O3之含有率更佳為5~13%，進而佳為5~12%，進而較佳為6~未達10(6%以上、未達10%)。另一方面，於含有3%以上之SrO+BaO之玻璃基板中，B2O3之含有率進而較佳為3~9%，進而更佳為4~8%。 (MgO)
    MgO為提高熔解性之成分。又，由於MgO於鹼土金屬中為不易使密度增加之成分，故若相對地增加其含有率，則容易實現玻璃之低密度化。於本實施形態之玻璃基板中，MgO並非必需成分。然而，藉由含有MgO，可實現熔解性之提高及碎片產生之抑制，故亦可含有MgO。但是，若MgO量過多，則存在引起Tg及應變點之降低、耐熱性降低及耐酸性降低之情形。又，存在由於失透溫度升高而耐失透性降低，故難以應用於下拉法之情形。因此，於本實施形態之玻璃基板中，MgO之含有率較佳為0~15%，更佳為0~10%。再者，於為了進一步實現輕量化而含有僅未達3%之SrO+BaO之玻璃基板中，MgO之含有率進而較佳為0~5%，進而更佳為0~未達2(0%以上、未達2%)，進一步佳為0~1.5%，進一步較佳為0~1%，進一步更佳為0~0.5%，尤佳為實質上不含MgO。再者，此處所謂「實質上不含MgO」，意指於玻璃原料中不添加MgO作為原料，係指MgO之含有率較佳為0.2%以下，更佳為0.15%以下，進而佳為0.1%以下。以下，所謂「實質上不含某種成分」意指相同之內容。另一方面，於含有3%以上之SrO+BaO之玻璃基板中，MgO之含有率進而較佳為1~9%，進而更佳為2~8%。 (CaO)
    CaO為用以於不使玻璃之失透溫度急遽上升的情況下提高玻璃之熔解性之有效成分。又，CaO於鹼土金屬中為不易使密度增加之成分，故若相對地增加CaO量，則容易實現玻璃之低密度化。若CaO量過少，則容易引起由高溫時之黏性上升所致的熔解性降低及耐失透性降低。另一方面，若CaO量過多，則容易引起熱膨脹係數之增加。由於該等原因，CaO之含有率較佳為0~20%，更佳為0~18%。再者，於為了進一步實現輕量化而含有僅未達3%之SrO+BaO之玻璃基板中，CaO之含有率更佳為3.6~16%，進而佳為4~16%，進而較佳為6~16%，進一步佳為超過7%且為16%以下，進一步較佳為8~13%，進一步更佳為9~12%。另一方面，於含有3%以上之SrO+BaO之玻璃基板中，CaO之含有率進而較佳為0~10%，進而更佳為0~5%，進一步佳為0~3%。 (SrO)
    SrO為可降低玻璃之失透溫度之成分。SrO並非必需成分，但若含有，則可實現耐失透性提高及熔解性提高，故亦可含有。但是，若SrO量過多，則導致密度上升。因此，於欲使密度降低之情形時，較佳為實質上不含SrO。因此，於本實施形態之玻璃基板中，SrO之含有率較佳為0~10%，更佳為0~8%。再者，為了進一步實現輕量化，SrO之含有率較佳為未達3%，更佳為2%以下，進而佳為1%以下，進而較佳為0.5%以下，進而更佳為實質上不含SrO。換言之，SrO之含有率較佳為0~未達3%(0%以上、未達3%)，更佳為0~2%，進而佳為0~1%，進而較佳為0~0.5%，進而更佳為實質上不含SrO。另一方面，於欲使熔解性提高之情形時，SrO之含有率進而較佳為1~8%，進而更佳為3~8%。 (BaO)
    BaO為提高耐失透性及熔解性之成分。又，藉由含有BaO，熱膨脹係數增大並且密度過度增加。因此，於本實施形態之玻璃基板中，BaO之含有率較佳為0~10%，更佳為0~5%，進而佳為0~2%，進而較佳為0~1%。再者，由於存在環境負荷之問題，故進而更佳為實質上不含BaO。 (Li2O、Na2O)
    Li2O及Na2O為提高熔解性之成分，但為增大玻璃之熱膨脹係數，於顯示器製造中之熱處理時使基板破損，或大幅度降低玻璃之Tg及應變點，使耐熱性過度降低之成分。因此，於本實施形態之玻璃基板中，Li2O及Na2O之含有率較佳為0~0.3%，更佳為0~0.2%，進而佳為0~0.1%，進而較佳為實質上不含Li2O及Na2O。 (K2O)
    K2O為提高玻璃之鹼性度，發揮澄清性之成分。又，K2O為提高熔解性，進而使玻璃熔液之電阻率降低之成分。因此，K2O雖並非必需成分，但若含有則可實現玻璃熔液之電阻率降低及澄清性提高。但是，若K2O量過多，則存在熱膨脹係數增大，或Tg及應變點大幅度降低而耐熱性過度降低之情形。因此，於本實施形態之玻璃基板中，K2O之含有率較佳為0~0.8%，更佳為0.01~0.5%，進而佳為0.1~0.3%。 (ZrO2、TiO2)
    ZrO2及TiO2為提高玻璃之化學耐久性、Tg及應變點之成分。ZrO2及TiO2雖並非必需成分，但藉由含有該等成分，可實現Tg及應變點之上升、耐酸性提高。但是，若ZrO2量及TiO2量變得過多，則存在因失透溫度明顯上升而耐失透性及成形性降低之情形。尤其ZrO2存在以下情況：存在於冷卻過程中析出ZrO2晶體之情形，其作為夾雜物而引起玻璃之品質惡化。又，TiO2為使玻璃著色之成分，故對顯示器用基板而言欠佳。由於上述原因，於本實施形態之玻璃基板中，ZrO2及TiO2之含有率分別較佳為0~5%，更佳為0~3%，進而佳為0~2%，進而較佳為0~1%，進而更佳為未達0.5%。進一步佳為本實施形態之玻璃基板實質上不含ZrO2及TiO2。 (ZnO)
    ZnO為提高耐BHF性及熔解性之成分，故亦可含有，但並非必需成分。但是，若ZnO量變得過多，則存在引起失透溫度上升、Tg及應變點之降低、及密度上升之情形。因此，於本實施形態之玻璃基板中，ZnO之含有率較佳為5%以下，更佳為3%以下，進而佳為2%以下，進而較佳為1%以下。進而更佳為本實施形態之玻璃基板實質上不含ZnO。換言之，ZnO之含有率較佳為0~5%，更佳為0~3%，進而佳為0~2%，進而較佳為0~1%。進而更佳為本實施形態之玻璃基板實質上不含ZnO。 (P2O5)
    P2O5為使熔融溫度降低而提高熔解性之成分，故亦可含有，但並非必需成分。但是，若P2O5量過多，則由於玻璃熔解時之P2O5之揮發而玻璃之不均質變明顯，容易產生條紋。又，Tg及應變點降低並且耐酸性明顯惡化，或容易產生乳白。因此，於本實施形態之玻璃基板中，P2O5之含有率較佳為3%以下，更佳為1%以下，進而佳為0.5%以下。進而較佳為本實施形態之玻璃基板實質上不含P2O5。換言之，P2O5之含有率較佳為0~3%，更佳為0~1%，進而佳為0~0.5%。進而較佳為本實施形態之玻璃基板實質上不含P2O5。 (澄清劑)
    作為澄清劑，只要為對環境之負荷較小，玻璃之澄清性優異者，則並無特別限制。例如可列舉選自Sn、Fe、Ce、Tb、Mo及W之金屬氧化物中之至少一種。若澄清劑過少，則泡品質惡化。因此，澄清劑之添加量雖亦取決於澄清劑之種類或玻璃之組成，但例如適當的是設定為0.01~1%、較佳為0.05~1%、更佳為0.05~0.5%、進而佳為0.05~0.3%、進而較佳為0.05~0.2%之範圍。作為澄清劑，SnO2較為適當。但是，SnO2為使玻璃之耐失透性降低之成分。因此，例如於使用SnO2作為澄清劑之情形時，SnO2之含有率較佳為0.01~0.3%，更佳為0.03~0.2%，進而佳為0.05~0.15%。 (Fe2O3)
    Fe2O3為除了作為澄清劑之作用以外，發揮降低玻璃熔液於高溫範圍內之黏性、降低電阻率之作用之成分。Fe2O3並非必需成分，但對於熔融溫度較高而難以熔解之玻璃而言，為了降低熔融溫度或電阻率，較佳為含有。若Fe2O3量變得過多，則存在玻璃著色而透射率降低之情形。因此，於本實施形態之玻璃基板中，Fe2O3之含有率較佳為0~0.1%，更佳為0~0.08%，進而佳為0.001~0.05%，進而較佳為0.005~0.03%。此處，對於熔融溫度較高之玻璃而言，由於熔解步驟之溫度變高，故Fe2O3作為澄清劑之效果容易降低。因此，若單獨使用Fe2O3作為澄清劑，則存在澄清性降低，玻璃基板之泡品質惡化之情形，因此較佳為與SnO2併用。
    由於環境負荷之問題，本實施形態之玻璃基板之Sb2O3之含有率較佳為0~0.5%，更佳為0~0.3%，進而佳為0~0.1%，進而較佳為0~0.03%，進而更佳為實質上不含Sb2O3。 (較佳為不含之成分)
    由於環境負荷之問題，更佳為實質上不含As2O3、Sb2O3、PbO及F。
    又，本實施形態之玻璃基板中所含有之成分之複合參數如下。 ((SiO2+Al2O3)/(B2O3))
    於構成本實施形態之玻璃基板之玻璃中，(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17，較佳為8~17，更佳為滿足8.45~17.0之關係。藉由滿足該關係所獲得之效果如上所述。再者，於為了進一步實現輕量化而含有僅未達3%之SrO+BaO之玻璃中，為了更確實地獲得該效果，(SiO2+Al2O3)/(B2O3)較佳為8.5~15.0，更佳為9.5~14.0，進而佳為10.0~13.0，進而較佳為10.0~12.5。進而，為了防止失透溫度之上升與實現充分之蝕刻速度，(SiO2+Al2O3)/(B2O3)較佳為8~15，更佳為8~13，進而佳為8~11，進而較佳為8~10。另一方面，於含有3%以上之SrO+BaO之玻璃中，(SiO2+Al2O3)/(B2O3)進而較佳為9.5~17.0%，進而更佳為10.0~17.0%。 (鹼土金屬氧化物(RO：MgO+CaO+SrO+BaO))
    RO為提高熔解性之成分。若RO量過少，則存在熔解性惡化之情形。但是，若RO量過多，則存在引起Tg及應變點之降低、密度上升、楊氏模量降低及熱膨脹係數增加之情形。因此，於構成本實施形態之玻璃基板之玻璃中，RO之含有率較佳為3~25%，更佳為4~20%。再者，於為了進一步實現輕量化而含有僅未達3%之SrO+BaO之玻璃中，RO之含有率進而佳為5%以上、未達14%，進而較佳為6~14%，進而更佳為8~13%，進一步佳為9~12%。另一方面，於含有3%以上之SrO+BaO之玻璃中，RO之含有率進而較佳為5%以上、未達18%，進而更佳為8~17%。 (CaO/RO)
    於為了進一步實現輕量化而含有僅未達3%之SrO+BaO之玻璃中，CaO/RO較佳為0.5以上，更佳為0.7以上，進而佳為超過0.85，進而較佳為0.88以上，進而更佳為0.90以上，進一步佳為0.92以上，進一步較佳為0.95以上。換言之，CaO/RO較佳為0.5~1，更佳為0.7~1，進而佳為0.85以上~1，進而較佳為0.88~1，進而更佳為0.90~1，進一步佳為0.92~1，進一步較佳為0.95~1。藉由將CaO/RO設定為此種範圍，可兼具耐失透性與熔解性。進而，可實現低密度化。又，相較於含有複數種鹼土金屬氧化物作為原料之情況，僅含有CaO之情況下可提高Tg及應變點。再者，於作為鹼土金屬氧化物而僅含有CaO作為原料之情形時，亦存在所獲得之玻璃中以雜質之形式含有其他鹼土金屬氧化物之情形。於作為鹼土金屬氧化物而僅含有CaO作為原料之情形時，所獲得之玻璃之CaO/RO之值例如為0.98~1左右。又，CaO於原料廉價、且容易獲取之方面而言亦為較佳之成分。 (SiO2-(Al2O3/2))
    若SiO2-(Al2O3/2)之值過小，則雖然蝕刻速度提高，但存在耐失透性降低之情形。另一方面，若該值過大，則存在蝕刻速度降低之情形。因此，構成本實施形態之玻璃基板之玻璃中，SiO2-(Al2O3/2)較佳為69以下，更佳為50~68，進而佳為55~65，進而較佳為57~63，進而更佳為58~62。
    又，為了生產性良好地進行玻璃基板之蝕刻(薄化)，蝕刻速度較佳為50 μm/h以上。另一方面，若蝕刻速度過高，則有於面板製作步驟中與化學藥品之反應中發生不良狀況之虞，因此，構成玻璃基板之玻璃之蝕刻速度較佳為160 μm/h以下。蝕刻速度較佳為60~140 μm/h，更佳為70~120 μm/h。於本發明中，將上述蝕刻速度定義為於以下條件下測定者。
    蝕刻速度(μm/h)係以如下之厚度減少量(μm)來表示，即，將玻璃基板於作為HF之比例為1 mol/kg、HCl之比例為濃度5 mol/kg之混合酸的40℃之蝕刻液中浸漬1小時之情形時，每單位時間(1小時)之玻璃基板的一個表面之厚度減少量(μm)。 (SiO2+Al2O3)
    若SiO2+Al2O3過少，則Tg及應變點容易降低。另一方面，若SiO2+Al2O3過多，則耐失透性容易惡化。因此，於構成本實施形態之玻璃基板之玻璃中，SiO2+Al2O3較佳為70%以上，更佳為75%以上，進而佳為76~88%。再者，於為了進一步實現輕量化而含有僅未達3%之SrO+BaO之玻璃中，SiO2+Al2O3更佳為78~88%，進而佳為79~85%，進而較佳為80~84%。進而，為了防止失透溫度之上升，更佳為76~85%，進而佳為76~83%，進而較佳為78~82%。另一方面，於含有3%以上之SrO+BaO之玻璃中，SiO2+Al2O3更佳為76~86%，進而佳為77~83%。 (Al2O3/SiO2)
    若Al2O3/SiO2超過0.35，則耐失透性容易惡化。另一方面，若Al2O3/SiO2成為0.05以下，則無法充分提高Tg及應變點。因此，於本實施形態中，Al2O3/SiO2為0.05~0.35，較佳為0.07~0.30，進而佳為0.10~0.25。 (B2O3+P2O5)
    若B2O3+P2O5過少，則熔解性容易降低。另一方面，若B2O3+P2O5過多，則由於玻璃熔解時之B2O3+P2O5之揮發而玻璃之不均質變明顯，容易產生條紋。進而，Tg及應變點容易降低。因此，於構成本實施形態之玻璃基板之玻璃中，B2O3+P2O5較佳為3~15%，更佳為3~10%。再者，於為了進一步實現輕量化而含有僅未達3%之SrO+BaO之玻璃基板中，B2O3+P2O5進而佳為3%以上、未達9.5%，進而較佳為4%以上、未達8.9%，進而更佳為5~8.5%，進一步佳為6~8%。進而，為了提高耐失透性，更佳為5~13%，進而佳為5~12%，進而較佳為6~未達10%(6%以上、未達10%)。另一方面，於含有3%以上之SrO+BaO之玻璃中，B2O3+P2O5進而較佳為3~9%，進而更佳為4~8%。 (CaO/B2O3)
    再者，於為了進一步實現輕量化而含有僅未達3%之SrO+BaO之玻璃中，若CaO/B2O3過小，則Tg及應變點容易降低。另一方面，若CaO/B2O3過大，則熔解性容易惡化。因此，於本實施形態中，CaO/B2O3較佳為0.5以上，更佳為0.7以上，進而佳為0.9以上，進而較佳為超過1.2，進而更佳為超過1.2且為5以下，進一步佳為超過1.2且為3以下，進一步較佳為1.3以上且2.5以下，進一步更佳為1.3以上且2以下。進而，為了提高熔解性，較佳為0.5~5，更佳為0.9~3，進而佳為超過1且為2.5以下，進而較佳為超過1且為2以下，進而更佳為超過1.2且為2以下，進一步佳為超過1.2且為1.5以下。 (SrO+BaO)
    SrO及BaO為可降低玻璃之失透溫度之成分。該等成分並非必需成分，但若含有，則可實現耐失透性提高及熔解性提高。但是，若該等成分之量過多，則導致密度上升。因此，難以使密度降低而實現輕量化。又，亦存在熱膨脹係數增加之情形。因此，於構成本實施形態之玻璃基板之玻璃中，SrO+BaO較佳為10%以下。再者，為了進一步實現輕量化，更佳為5%以下，進而佳為未達3%，進而較佳為未達2%。進而更佳為構成本實施形態之玻璃基板之玻璃實質上不含SrO及BaO。換言之，為了進一步實現輕量化，SrO+BaO較佳為0~10%，更佳為0~5%，進而佳為0~未達3%(0%以上、未達3%)，進而較佳為0~未達2%(0%以上、未達2%)，進而更佳為0~未達1%(0%以上、未達1%)，進一步佳為0~未達0.5%(0%以上、未達0.5%)。進一步較佳為構成本實施形態之玻璃基板之玻璃實質上不含SrO及BaO。 (RO+ZnO+B2O3)
    若RO+ZnO+B2O3過少，則高溫範圍之黏性變高，澄清性及玻璃之熔解性容易降低。另一方面，若RO+ZnO+B2O3過多，則Tg及應變點容易降低。因此，於構成本實施形態之玻璃基板之玻璃中，RO+ZnO+B2O3較佳為7~30%，更佳為10~27%。再者，於為了進一步實現輕量化而含有僅未達3%之SrO+BaO之玻璃中，RO+ZnO+B2O3進而佳為12~22%，進而較佳為14~21%，進而更佳為16~20%。進而，為了提高熔解性，RO+ZnO+B2O3進而佳為12~27%，進而較佳為14~25%，進而更佳為17~23%。另一方面，於含有3%以上之SrO+BaO之玻璃中，RO+ZnO+B2O3進而佳為13~27%，進而較佳為15~25%。 (鹼金屬氧化物(R2O：Li2O+Na2O+K2O))
    R2O為提高玻璃之鹼性度，使澄清劑之氧化變容易而發揮澄清性之成分。又，R2O為容易實現玻璃之熔解性提高及電阻率降低之成分，故亦可含有。R2O雖並非必需成分，但若含有，則可實現電阻率降低、澄清性提高及熔解性提高。但是，若R2O量過多，則亦存在Tg及應變點過度降低，進而熱膨脹係數增大之情形。因此，於構成本實施形態之玻璃基板之玻璃中，R2O較佳為0~0.8%，更佳為0.01~0.5%，進而佳為0.1~0.3%。 (K2O/R2O)
    K2O與Li2O及Na2O相比較而分子量更大，故不易自玻璃基板中溶出。因此，於含有R2O之情形時，較佳為以更高之比率含有K2O。K2O較佳為以較Li2O高之比率而含有(滿足K2O>Li2O)。K2O較佳為以較Na2O高之比率而含有(滿足K2O>Na2O)。K2O/R2O較佳為0.5以上，更佳為0.6以上，進而佳為0.7以上，進而較佳為0.8以上，進而更佳為0.95以上。換言之，K2O/R2O較佳為0.5~1，更佳為0.6~1，進而佳為0.7~1，進而較佳為0.8~1，進而更佳為0.95~1。
    構成本實施形態之玻璃基板之玻璃可藉由將上述各成分適宜組合而實現，故成分之組合並無限定，作為一例，可列舉如下組合：含有65~78%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、0~未達2%(0%以上、未達2%)之MgO、3.6~16%之CaO、0~2%之SrO、及0~未達1%(0%以上、未達1%)之BaO，且B2O3、P2O5及CaO之以莫耳%所表示之含有率滿足B2O3+P2O5=3~15%、及CaO/B2O3>1.2之關係。
    或者，作為一例，亦可列舉如下組合：含有65~78%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~9.5%之B2O3、0~未達2%(0%以上、未達2%)之MgO、3.6~16%之CaO、及0~2%之SrO，實質上不含BaO，且B2O3、P2O5及CaO之以莫耳%所表示之含有率滿足B2O3+P2O5=3~9.5%、及CaO/B2O3>1.2之關係。
    本實施形態之玻璃基板為顯示器用基板。本實施形態之玻璃基板具體而言適於形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用之玻璃基板。又，本實施形態之玻璃基板適於液晶顯示器用玻璃基板及有機EL顯示器用玻璃基板。尤其適於p-Si-TFT液晶顯示器用玻璃基板及有機EL顯示器用玻璃基板。其中，適於要求高精細之行動終端等之顯示器用玻璃基板。或者，本實施形態之玻璃基板適於氧化物半導體薄膜平面面板顯示器用玻璃基板。更詳細而言，本實施形態之玻璃基板適於在基板表面上形成氧化物半導體薄膜、TFT而製造之平面面板顯示器中所使用之玻璃基板。
    本實施形態之玻璃基板之大小可根據所應用之顯示器之尺寸而適宜變更，故並無特別限定。寬度方向之長度例如可為500 mm~3500 mm，較佳為1000 mm~3500 mm，更佳為2000 mm~3500 mm。縱方向之長度例如可為500 mm~3500 mm，較佳為1000 mm~3500 mm，更佳為2000 mm~3500 mm。愈使用更大之玻璃基板，液晶顯示器或有機EL顯示器之生產性愈提高。
    本實施形態之玻璃基板之厚度可根據所應用之顯示器之尺寸而適宜變更，故並無特別限定。但是，若玻璃基板過薄，則玻璃基板自身之強度降低。例如容易於液晶顯示器製造時產生破損。另一方面，玻璃基板過厚對於要求薄型化之顯示器而言欠佳。又，若玻璃基板過厚，則玻璃基板之重量增加，故液晶顯示器之輕量化變困難。因此，本實施形態之玻璃基板之厚度較佳為0.1 mm~1.1 mm，更佳為0.1 mm~0.7 mm，進而佳為0.3~0.7 mm，進而較佳為0.3~0.5 mm。
    本實施形態之玻璃基板可藉由包括以下步驟的方法製造：熔解步驟，其將玻璃原料熔融而生成熔融玻璃；成形步驟，其將上述熔融玻璃成形為玻璃板；及緩冷卻步驟，其將上述玻璃板緩冷卻。再者，上述玻璃板之熱收縮率為75 ppm以下，較佳為60 ppm以下。又，構成上述玻璃基板之玻璃之失透溫度為1250℃以下，且以莫耳%計而含有55~80%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、及3~25%之RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)作為玻璃組成，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17、較佳為8.45~17.0之關係。此時，玻璃之應變點較佳為665℃以上。
    本實施形態之玻璃基板可使用公知之玻璃基板之製造方法而製造。成形方法亦可使用公知之方法，較佳為使用浮式法或下拉法，尤佳為使用溢流下拉法。藉由下拉法而成形之玻璃基板由於其主表面為經熱成形之表面，故具有極高之平滑性。因此，無需成形後之玻璃基板表面之研磨步驟，故可降低製造成本，進而亦可提高生產性。進而，使用下拉法所成形之玻璃基板之兩主表面具有均勻之組成，故可於進行蝕刻處理時均勻地進行蝕刻。此外，藉由使用下拉法成形，可獲得具有無微裂縫之表面狀態之玻璃基板。結果亦可使玻璃基板自身之強度提高。
    為了製造熱收縮率為75 ppm以下、較佳為60 ppm以下之玻璃基板，較理想的是適宜調整緩冷卻時之條件。例如，於使用下拉法之情形時，較理想的是以將玻璃板之溫度於自Tg起至Tg-100℃之溫度範圍內維持20~120秒之方式進行緩冷卻。換言之，於使用下拉法之情形時，較理想的是以於自Tg起至Tg-100℃之溫度範圍內以20~120秒冷卻的方式，對玻璃板進行緩冷卻。若未達20秒，則存在無法充分減少熱收縮量之情形。另一方面，若超過120秒，則生產性降低並且玻璃製造裝置(緩冷卻爐)大型化。因此，為了維持成本及生產性並且減小熱收縮率，較佳為以將玻璃板之溫度於自Tg起至Tg-100℃之溫度範圍內維持20~120秒之方式進行緩冷卻，更佳為維持30~120秒，進而佳為維持50~100秒。換言之，較佳為以於自Tg起至Tg-100℃之溫度範圍內以20~120秒冷卻之方式對玻璃板進行緩冷卻，更佳為以30~120秒進行冷卻，進而佳為以50~100秒進行冷卻。或者較佳為以將玻璃板之中央部之平均冷卻速度於自Tg起至Tg-100℃之溫度範圍內設定為50~300℃/分之方式進行緩冷卻。若平均冷卻速度超過300℃/分，則存在無法充分減少熱收縮量之情形。另一方面，若未達50℃/分，則生產性降低並且玻璃製造裝置(緩冷卻爐)大型化。因此，用以維持成本及生產性並且減少熱收縮率之平均冷卻速度之較佳範圍為50~300℃/分，更佳為50~200℃/分，進而佳為60~120℃/分。另一方面，藉由在緩冷卻步驟後另設置熱收縮減少處理(離線退火)步驟，亦可減小熱收縮率。但是，若與緩冷卻步驟分開而另設置離線退火步驟，則存在生產性降低，成本高漲之問題。因此，更佳為如上所述般，藉由在緩冷卻步驟中實施控制玻璃板之冷卻速度之熱收縮減少處理(在線退火)，將熱收縮率控制於特定範圍內。
    又，表示玻璃水分量之β-OH值存在其值愈小則Tg及應變點變得愈高之傾向。另一方面，存在β-OH值愈大則愈降低熔融溫度之傾向。為了同時實現Tg及應變點之上升與熔解性之提高，β-OH值較佳為設定為0.05~0.40 mm-1，更佳為0.10~0.35 mm-1，進而佳為0.10~0.30 mm-1，進而較佳為0.10~0.25 mm-1。β-OH值可藉由原料之選擇進行調整。例如，可藉由選擇含水量較高之原料(例如氫氧化物原料)，或調整氯化物等使玻璃中之水分量減少之原料之含量，而增減β-OH值。又，可藉由調整玻璃熔解中所使用之氣體燃燒加熱(氧氣燃燒加熱)與電氣加熱(直接通電加熱)之比率而調整β-OH值。進而，可藉由增加爐內環境中之水分量，或於熔解時對熔融玻璃使水蒸氣起泡，而增加β-OH值。再者，玻璃之β-OH值可於玻璃之紅外線吸收光譜中藉由下述式求出。
    β-OH值=(1/X)log10(T1/T2)
    X：玻璃厚度(mm)
    T1：參考波長2600 nm下之透射率(%)
    T2：羥基吸收波長2800 nm附近之最小透射率(%)
    作為由上述揭示內容所獲得之本實施形態之平面面板顯示器用玻璃基板，例如可列舉下述第1~第4玻璃基板。又，作為由上述內容所獲得之本實施形態之玻璃基板之製造方法，例如可列舉下述第1~第4製造方法。
    作為第1平面面板顯示器用玻璃基板，可列舉以下玻璃基板：其係包含以下玻璃，且熱收縮率為75 ppm以下；上述玻璃係以莫耳%表示而含有55~80%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、及3~25%之RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17之關係，應變點為665℃以上，且失透溫度為1250℃以下。
    作為第2平面面板顯示器用玻璃基板，可列舉以下玻璃基板：其係包含以下玻璃，且熱收縮率為60 ppm以下；上述玻璃係以莫耳%表示而含有55~80%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、及3~25%之RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0之關係，且失透溫度為1250℃以下。
    作為第3平面面板顯示器用玻璃基板，可列舉以下玻璃基板：其係包含以下玻璃，該玻璃以莫耳%表示而含有65~78%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、0~未達2%之MgO、3.6~16%之CaO、0~2%之SrO、及0~未達1%之BaO，B2O3、P2O5及CaO之以莫耳%所表示之含有率滿足B2O3+P2O5=3~15%、及CaO/B2O3>1.2之關係，應變點為665℃以上，且失透溫度為1250℃以下。
    作為第4平面面板顯示器用玻璃基板，可列舉以下玻璃基板：其係包含以下玻璃，該玻璃係以莫耳%表示而含有65~78%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~9.5%之B2O3、0~未達2%之MgO、3.6~16%之CaO、及0~2%之SrO，實質上不含BaO，B2O3、P2O5及CaO之以莫耳%所表示之含有率滿足B2O3+P2O5=3~9.5%、及CaO/B2O3>1.2之關係，且失透溫度為1250℃以下。
    上述第1~第4平面面板顯示器用玻璃基板適於形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板。尤其係上述第1~第4平面面板顯示器用玻璃基板適於形成p-Si-TFT之液晶顯示器用玻璃基板。或者，上述第1~第4平面面板顯示器用玻璃基板亦適於有機EL顯示器用玻璃基板。或者，上述第1~第4平面面板顯示器用玻璃基板亦適於形成氧化物半導體薄膜電晶體之顯示器用玻璃基板。
    作為平面面板顯示器用玻璃基板之第1製造方法，可列舉下述製造方法：其包括：熔融步驟，其將以下玻璃原料熔融而生成熔融玻璃，上述玻璃原料係以成為以莫耳%計而SiO2為55~80%、Al2O3為3~20%、B2O3為3~15%、RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)為3~25%，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17.0之關係，應變點為665℃以上，且失透溫度為1250℃以下之玻璃的方式調配而成；成形步驟，其將上述熔融玻璃成形為玻璃板；及緩冷卻步驟，其將上述玻璃板緩冷卻；並且上述玻璃板之熱收縮率為75 ppm以下。
    作為平面面板顯示器用玻璃基板之第2製造方法，可列舉下述製造方法：其包括：熔融步驟，其將以下玻璃原料熔融而生成熔融玻璃，上述玻璃原料係以成為以莫耳%計而SiO2為55~80%、Al2O3為3~20%、B2O3為3~15%、RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)為3~25%，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0之關係，且失透溫度為1250℃以下之玻璃的方式調配而成；成形步驟，其將上述熔融玻璃成形為玻璃板；及緩冷卻步驟，其將上述玻璃板緩冷卻；上述玻璃板之熱收縮率為60 ppm以下。
    作為平面面板顯示器用玻璃基板之第3製造方法，可列舉下述製造方法：其包括：熔融步驟，其將以下玻璃原料熔融而生成熔融玻璃，上述玻璃原料係以成為以莫耳%計而SiO2為65~78%、Al2O3為3~20%、B2O3為3~15%、MgO為0~未達2%、CaO為3.6~16%、SrO為0~2%、BaO為0~未達1%，B2O3、P2O5及CaO之以莫耳%所表示之含有率滿足B2O3+P2O5=3~15%、及CaO/B2O3>1.2之關係，應變點為665℃以上，且失透溫度為1250℃以下之玻璃的方式調配而成；成形步驟，其將上述熔融玻璃成形為玻璃板；及緩冷卻步驟，其將上述玻璃板緩冷卻。
    作為平面面板顯示器用玻璃基板之第4製造方法，可列舉下述製造方法：其包括：熔融步驟，其將以下玻璃原料熔融而生成熔融玻璃，上述玻璃原料係以成為以莫耳%計而SiO2為65~78%、Al2O3為3~20%、B2O3為3~9.5%、MgO為0~未達2%、CaO為3.6~16%、SrO為0~2%，實質上不含BaO，B2O3、P2O5及CaO之以莫耳%所表示之含有率滿足B2O3+P2O5=3~9.5%、及CaO/B2O3>1.2之關係，且失透溫度為1250℃以下之玻璃的方式調配而成；成形步驟，其將上述熔融玻璃成形為玻璃板；及緩冷卻步驟，其將上述玻璃板緩冷卻。
    於上述平面面板顯示器用玻璃基板之第1~第4製造方法中之上述緩冷卻步驟中，較佳為實施控制玻璃板之冷卻速度而減小熱收縮率之熱收縮減少處理。又，於上述緩冷卻步驟中，更佳為實施以下熱收縮減少處理：將玻璃板之中央部之平均冷卻速度於自Tg起至Tg-100℃之溫度範圍內設定為50~300℃/分。 [實施例]
    其次，對本發明之玻璃基板列舉實施例加以詳細說明。再者，本發明並不限定於下述例。 <第1玻璃基板>
    對第1玻璃基板列舉實施例加以說明。再者，所謂第1玻璃基板為以下玻璃基板：其係包含以下玻璃，且熱收縮率為75 ppm以下；上述玻璃以莫耳%表示而含有55~80%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、及3~25%之RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17之關係，應變點為665℃以上，且失透溫度為1250℃以下。 (實施例1-1~1-24及比較例1-1~1-6)
    以成為表1-1及1-2所示之玻璃組成之方式，依照下述順序製作實施例1-1~1-24及比較例1-1~1-6之試樣玻璃。對於所獲得之試樣玻璃及試樣玻璃基板，測定失透溫度、Tg、100~300℃之範圍內之平均熱膨脹係數、熱收縮率、密度、應變點、熔融溫度(黏度為102.5 dPa．s時之玻璃溫度)、液相黏度及1550℃下之電阻率。 (試樣玻璃之製作)
    首先，以成為表1-1及1-2所示之玻璃組成之方式，使用作為通常之玻璃原料之二氧化矽、氧化鋁、氧化硼、碳酸鉀、鹼性碳酸鎂、碳酸鈣、碳酸鍶、二氧化錫及三氧化二鐵，調配玻璃原料批料(以下稱為批料)。再者，以玻璃計成為400 g之量進行調配。
    將上述所調配之批料於鉑坩堝中熔融及澄清。首先，將該坩堝於設定為1575℃之電爐中保持4小時而熔融批料。其次，將該電爐升溫至1640℃並保持2小時，藉此進行玻璃熔液之澄清。其後，將玻璃熔液於爐外流出至鐵板上，進行冷卻固化而獲得玻璃體。繼而，對該玻璃體實施緩冷卻操作。緩冷卻操作係藉由以下方式進行：將該玻璃體於設定為800℃之其他電爐中保持2小時後，以2小時冷卻至740℃，進而以2小時冷卻至660℃後，切斷該電爐之電源並冷卻至室溫。將經由該緩冷卻操作之玻璃體作為試樣玻璃。將上述試樣玻璃用於不受緩冷卻條件影響且/或無法以基板狀進行測定之特性(失透溫度、熔融溫度、電阻率、密度、熱膨脹係數、Tg及應變點)之測定。
    又，切割上述試樣玻璃，實施磨削及研磨加工，製作上下面為鏡面之30 mm×40 mm×0.7 mm之試樣玻璃基板。將上述試樣玻璃基板用於不受緩冷卻條件影響之β-OH測定。
    進而，對上述試樣玻璃基板使用通常之玻璃加工技術，製成寬度5 mm、長度20 mm之長方體，將其於Tg下保持30分鐘後，以100℃/分冷卻至Tg-100℃，放置冷卻至室溫，藉此製成熱收縮測定用試樣玻璃基板。 (失透溫度之測定方法)
    粉碎上述試樣玻璃並通過2380 μm之篩，獲得殘留於1000 μm之篩上之玻璃粒。將該玻璃粒浸漬於乙醇中，進行超音波清洗後，利用恆溫槽進行乾燥。對於經乾燥之玻璃粒，於寬度12 mm、長度200 mm、深度10 mm之鉑舟皿上將上述玻璃粒25 g以成為大致固定厚度之方式放入。對於實施例1-1~1-6、1-8~1-24及比較例1-1、1-3~1-5，將該鉑舟皿於具有1080~1320℃之溫度梯度之電爐內保持5小時，對於實施例1-7、比較例1-2及1-6，將該鉑舟皿於具有1140~1380℃之溫度梯度之電爐內保持5小時，其後自爐中取出，利用50倍之光學顯微鏡觀察玻璃內部所產生之失透。將觀察到失透之最高溫度作為失透溫度。 (熔融溫度)
    上述試樣玻璃之熔融溫度係使用鉑球提拉式自動黏度測定裝置進行測定。根據上述測定結果，算出黏度102.5 dPa．s時之溫度，獲得熔融溫度。 (液相黏度)
    根據上述熔融溫度之測定結果，算出上述失透溫度下之黏性，獲得液相黏度。 (電阻率)
    上述試樣玻璃之熔融時之電阻率係使用HP公司製造之4192A LF阻抗分析儀(impedance analyzer)，利用四端子法進行測定。根據上述測定結果，算出1550℃下之電阻率值。 (100~300℃之範圍內之平均熱膨脹係數及Tg之測定方法)
    將上述試樣玻璃加工為5 mm、長度20 mm之圓柱狀，製成試驗片。對該試驗片使用示差熱膨脹計(Thermo Plus2 TMA8310)，測定升溫過程中之溫度與試驗片之伸縮量。將此時之升溫速度設定為5℃/分。根據上述溫度與試驗片之伸縮量之測定結果，測定100~300℃之範圍內之平均熱膨脹係數及Tg。再者，所謂本申請案中之Tg，係指對以下試樣玻璃測定所得之值，上述試樣玻璃係將玻璃體於設定為800℃之其他電爐中保持2小時後，以2小時冷卻至740℃，進而以2小時冷卻至660℃後，切斷該電爐之電源並冷卻至室溫。 (應變點)
    將上述試樣玻璃切割並磨削加工為3 mm見方、長度55 mm之稜柱形狀，製成試驗片。對該試驗片使用橫樑彎曲測定裝置(東京工業股份有限公司製造)進行測定，依據橫樑彎曲法(ASTM C-598)藉由計算求出應變點。 (密度)
    對上述試樣玻璃進行鏡面研磨而製作5×30×30 mm之板狀試樣。使用該試樣，利用阿基米德法測定玻璃之密度。 (熱收縮率)
    熱收縮率係對上述熱收縮測定用試樣玻璃基板於550℃下實施2小時之熱處理，使用熱處理後之玻璃基板之收縮量，利用下述式求出。
    熱收縮率(ppm)={熱處理後之玻璃基板之收縮量/熱處理前之玻璃基板之長度}×106
    於本實施例中，具體而言，利用下述方法進行收縮量之測定。
    對上述熱收縮用試樣玻璃使用示差熱膨脹計(理學股份有限公司製造，Thermoflex TMA8140型)，自室溫起升溫至550℃並保持2小時後，冷卻至室溫，測定熱處理前後之試樣玻璃之收縮量。此時之升降溫速度係設定為10℃/分。 (蝕刻速度)
    將玻璃基板於HF之比例為1 mol/kg、HCl之比例為5 mol/kg之混合酸的40℃之蝕刻液中浸漬1小時。其後，測定玻璃基板之一個表面之厚度減少量(μm)。以每單位時間(1小時)之減少量(μm)求出蝕刻速度(μm/h)。

    實施例1-1~1-24中獲得之玻璃基板具有720℃以上之Tg，進而，熱收縮率及失透溫度亦滿足本發明之第1玻璃基板之條件。進而，實施例1-1~1-24之玻璃亦具有1680℃以下之熔融溫度，而亦實現了良好之熔解性。因此，可認為實施例1-1~1-24中獲得之玻璃基板為亦可用於應用p-Si-TFT之顯示器的具備優異特性之玻璃基板。另一方面，比較例1-1~1-6中獲得之玻璃之熱收縮率或失透溫度不滿足本發明之第1玻璃基板之條件。進而，關於比較例2之玻璃，熔融溫度超過1680℃，亦無法獲得良好之熔解性。如此，比較例1-1~1-6中獲得之玻璃基板並不適於應用p-Si-TFT之顯示器。 (實施例1-25)
    使用具備耐火磚製之熔解槽與鉑合金製之澄清槽(調整槽)之連續熔解裝置，將以成為實施例1-4所示之組成之方式調配而成的玻璃原料於1560~1640℃下熔解，於1620~1670℃下澄清，並於1440~1530℃下攪拌後，藉由溢流下拉法成形為厚度0.7 mm之薄板狀，於自Tg起至Tg-100℃之溫度範圍內，以100℃/分之平均速度進行冷卻，獲得液晶顯示器用(或有機EL顯示器用)玻璃基板。再者，關於上述記載之各特性，使用所獲得之玻璃基板進行測定。再者，關於無法以基板狀測定之特性(密度、應變點、膨脹係數及Tg)，依據上述試樣製作方法，將上述玻璃基板再熔融而製作試樣玻璃，測定特性。
    以上述方式所獲得之實施例1-25之玻璃基板之熔融溫度為1610℃、β-OH值為0.20 mm-1，且Tg為754℃、應變點為697℃、熱收縮率為51 ppm，其他特性與實施例1-4相同。如此，實施例1-25之玻璃基板具有720℃以上之Tg與1680℃以下之熔融溫度，實現了高Tg及應變點與良好之熔解性。進而，熱收縮率及失透溫度亦滿足本發明之第1玻璃基板之條件。再者，實施例1-25之玻璃基板之β-OH值較實施例1-4大0.1 mm-1左右，故若與實施例1-4相比較，則Tg低2~3℃，但可實現充分高之Tg。因此，可認為實施例1-25中獲得之玻璃基板為亦可用於應用p-Si-TFT之顯示器的具備優異特性之玻璃基板。 (實施例1-26)
    使用以成為實施例1-12所示之玻璃組成的方式調配而成之玻璃原料，與實施例1-25同樣地製作玻璃基板，並測定各特性。
    以上述方式而獲得之實施例1-26之玻璃基板之熔融溫度為1585℃、β-OH值為0.21 mm-1，且Tg為761℃、應變點為710℃、熱收縮率為31 ppm，其他特性與實施例1-12相同。如此，實施例1-26之玻璃基板具有720℃以上之Tg與1680℃以下之熔融溫度，實現了高Tg及應變點與良好之熔解性。進而，熱收縮率及失透溫度亦滿足本發明之第1玻璃基板之條件。再者，實施例1-26之玻璃基板之β-OH值較實施例1-12大0.1 mm-1左右，故若與實施例1-12相比較，則Tg低2~3℃，但可實現充分高之Tg。因此，可認為實施例1-26中獲得之玻璃基板為亦可用於應用p-Si-TFT之顯示器的具備優異特性之玻璃基板。 <第2玻璃基板>
    對第2玻璃基板列舉實施例加以說明。再者，所謂第2玻璃基板為以下玻璃基板：其係包含以下玻璃，且熱收縮率為60 ppm以下；上述玻璃係以莫耳%表示而含有55~80%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、及3~25%之RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0之關係，且失透溫度為1250℃以下。
    利用與第1玻璃基板之實施例及比較例相同之方法，以成為表2-1及2-2所示之玻璃組成之方式製作實施例及比較例之試樣玻璃，測定各特性。
    <第3玻璃基板>
    對第3玻璃基板列舉實施例加以說明。再者，所謂第3玻璃基板為包含以下玻璃之玻璃基板，上述玻璃係以莫耳%表示而含有65~78%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、0~未達2%之MgO、3.6~16%之CaO、0~2%之SrO、及0~未達1%之BaO，B2O3、P2O5及CaO之以莫耳%所表示之含有率滿足B2O3+P2O5=3~15%、及CaO/B2O3>1.2之關係，應變點為665℃以上，且失透溫度為1250℃以下。
    利用與第1玻璃基板之實施例及比較例相同之方法，以成為表3所示之玻璃組成之方式製作實施例及比較例之試樣玻璃，測定各特性。
    <第4玻璃基板>
    對第4玻璃基板列舉實施例加以說明。再者，所謂第4玻璃基板為包含以下玻璃之玻璃基板，上述玻璃係以莫耳%表示而含有65~78%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~9.5%之B2O3、0~未達2%之MgO、3.6~16%之CaO、及0~2%之SrO，實質上不含BaO，B2O3、P2O5及CaO之以莫耳%所表示之含有率滿足B2O3+P2O5=3~9.5%、及CaO/B2O3>1.2之關係，且失透溫度為1250以下之玻璃構成。
    利用與第1玻璃基板之實施例及比較例相同之方法，以成為表4所示之玻璃組成之方式製作實施例及比較例之試樣玻璃，測定各特性。
    <本發明實施形態之彙總>
    根據上述揭示，本發明提供下述態樣。
    本發明之第1態樣提供一種形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板，其係包含以下玻璃，且熱收縮率為75 ppm以下；上述玻璃係以莫耳%表示而含有55~80%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、及3~25%之RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17之關係，應變點為665℃以上，且失透溫度為1250℃以下。
    其中，上述所謂熱收縮率，係指使用實施升降溫速度為10℃/分、於550℃下實施保持2小時之熱處理後的玻璃基板之收縮量，利用下述式所求出之值。
    熱收縮率(ppm)={處理後之玻璃基板之收縮量/熱處理前之玻璃基板之長度}×106
    於下述本發明之態樣中，「熱收縮率」亦係同樣地定義。
    本發明之第2態樣提供一種形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板，其係包含以下玻璃，且熱收縮率為60 ppm以下；上述玻璃係以莫耳%表示而含有55~80%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、及3~25%之RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0之關係，且失透溫度為1250℃以下。
    本發明之第3態樣提供一種形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板，其係包含以下玻璃，該玻璃係以莫耳%表示而含有65~78%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、0~未達2%之MgO、3.6~16%之CaO、0~2%之SrO、0~未達1%之BaO，B2O3、P2O5及CaO之以莫耳%所表示之含有率滿足B2O3+P2O5=3~15%、及CaO/B2O3>1.2之關係，應變點為665℃以上，且失透溫度為1250℃以下。
    本發明之第4態樣提供一種形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板，其係包含以下玻璃，該玻璃係以莫耳%表示而含有65~78%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~9.5%之B2O3、0~未達2%之MgO、3.6~16%之CaO、及0~2%之SrO，實質上不含BaO，B2O3、P2O5及CaO之以莫耳%所表示之含有率滿足B2O3+P2O5=3~9.5%、及CaO/B2O3>1.2之關係，且失透溫度為1250℃以下。
    本發明之第5之態樣提供一種形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板，其係包含以下玻璃之玻璃基板，且於Tg下保持30分鐘後，以100℃/分冷卻至Tg-100℃，放置冷卻至室溫後，實施升降溫速度為10℃/分、於550℃下保持2小時之熱處理後的上述玻璃基板之熱收縮率為75 ppm以下；上述玻璃係以莫耳%表示而含有55~80%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、及3~25%之RO(MgO、CaO、SrO、BaO之合計量)，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17之關係，應變點為665℃以上，且失透溫度為1250℃以下。
    本發明之第6態樣提供如上述第1至第5態樣中任一態樣之形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板，其中上述玻璃以莫耳%表示而含有0~5%之ZnO，於上述玻璃中，SiO2及Al2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足SiO2+Al2O3≧75%，且RO、ZnO及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足RO+ZnO+B2O3=7~25%。
    本發明之第7態樣提供如上述第1至第6態樣中任一態樣之形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板，其中於上述玻璃中，MgO、CaO、SrO及BaO之合計含有率為4~20莫耳%。
    本發明之第8態樣提供如上述第1至第7態樣中任一態樣之形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板，其中於上述玻璃中，以莫耳%計，CaO之含有率相對於MgO、CaO、SrO及BaO之合計含有率之比超過0.5。
    本發明之第9態樣提供如上述第1至第8態樣中任一態樣之形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板，其中上述玻璃之液相黏度為104.5 dPa．s以上，可藉由利用下拉法將上述玻璃成形而獲得。
    本發明之第10態樣提供如上述第1至第9態樣中任一態樣之形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板，其中上述玻璃實質上不含As2O3及Sb2O3。
    本發明之第11態樣提供如上述第1至第10態樣中任一態樣之形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板，其為液晶顯示器用玻璃基板。
    本發明之第12態樣提供一種形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板之製造方法，其包括：熔融步驟，其將以下玻璃原料熔融而生成熔融玻璃，上述玻璃原料係以成為以莫耳%計而SiO2為55~80%、Al2O3為3~20%、B2O3為3~15%、RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)為3~25%，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17之關係，應變點為665℃以上，且失透溫度為1250℃以下之玻璃的方式調配而成；成形步驟，其將上述熔融玻璃成形為玻璃板；及緩冷卻步驟，其將上述玻璃板緩冷卻；並且上述玻璃板之熱收縮率為75 ppm以下。
    本發明之第13態樣提供一種形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板之製造方法，其包括：熔融步驟，其將以下玻璃原料熔融而生成熔融玻璃，上述玻璃原料係以成為以莫耳%計而SiO2為55~80%、Al2O3為3~20%、B2O3為3~15%、RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)為3~25%，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0之關係，且失透溫度為1250℃以下之玻璃的方式調配而成；成形步驟，其將上述熔融玻璃成形為玻璃板；及緩冷卻步驟，其將上述玻璃板緩冷卻；並且上述玻璃板之熱收縮率為60 ppm以下。
    本發明之第14態樣提供如上述第12或13態樣之形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板之製造方法，其中於上述熔融步驟中，以β-OH成為0.05~0.40 mm-1之方式生成熔融玻璃，於上述緩冷卻步驟中，於自玻璃轉移點(Tg)起至Tg-100℃之溫度範圍內，以50~300℃/分之平均速度將上述玻璃板冷卻。
    本發明之第15態樣提供一種平面面板顯示器用玻璃基板，其係包含以下玻璃，且熱收縮率為75 ppm以下；上述玻璃係以莫耳%表示而含有55~80%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、3~25%之RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17之關係，應變點為665℃以上，且失透溫度為1250℃以下。
    本發明之第16態樣提供一種平面面板顯示器用玻璃基板，其係包含以下玻璃，且熱收縮率為60 ppm以下；上述玻璃係以莫耳%表示而含有55~80%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、及3~25%之RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0之關係，且失透溫度為1250℃以下。 [產業上之可利用性]
    本發明之平面面板顯示器用玻璃基板適於使用p-Si之平面面板顯示器，尤其適於使用p-Si-TFT之液晶顯示器用之玻璃基板及有機EL顯示器用之玻璃基板，其中，適於要求高精細之行動終端等之顯示器用玻璃基板。
    权利要求:
    Claims (14)
    [1] 一種形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板，其係包含以下玻璃，且熱收縮率為75 ppm以下；上述玻璃係以莫耳%表示而含有55~80%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、及3~25%之RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17之關係，應變點為665℃以上，且失透溫度為1250℃以下；其中，上述所謂熱收縮率，係指使用實施升降溫速度為10℃/分、於550℃下實施保持2小時之熱處理後之玻璃基板之收縮量，利用下述式所求出之值，熱收縮率(ppm)={熱處理後之玻璃基板之收縮量/熱處理前之玻璃基板之長度}×106。
    [2] 一種形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板，其係包含以下玻璃，且熱收縮率為60 ppm以下；上述玻璃係以莫耳%表示而含有55~80%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、及3~25%之RO(MgO、CaO、SrO、BaO之合計量)，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0之關係，且失透溫度為1250℃以下；其中，上述所謂熱收縮率，係指使用實施升降溫速度為10℃/分、於550℃下實施保持2小時之熱處理後的玻璃基板之收縮量，利用下述式所求出之值，熱收縮率(ppm)={熱處理後之玻璃基板之收縮量/熱處理前之玻璃基板之長度}×106。
    [3] 如請求項1或2之形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板，其中上述玻璃以莫耳%表示而含有0~5%之ZnO，於上述玻璃中，SiO2及Al2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足SiO2+Al2O3≧75%，且RO、ZnO及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足RO+ZnO+B2O3=7~25%。
    [4] 如請求項1或2之形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板，其中於上述玻璃中，MgO、CaO、SrO及BaO之合計含有率為4~20莫耳%。
    [5] 如請求項1或2之形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板，其中於上述玻璃中，以莫耳%計，CaO之含有率相對於MgO、CaO、SrO及BaO之合計含有率之比超過0.5。
    [6] 如請求項1或2之形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板，其中上述玻璃之液相黏度為104.5 dPa．s以上，可藉由利用下拉法將上述玻璃成形而獲得。
    [7] 如請求項1或2之形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板，其中上述玻璃實質上不含As2O3及Sb2O3。
    [8] 如請求項1或2之形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板，其為液晶顯示器用玻璃基板。
    [9] 一種形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板之製造方法，其包括：熔融步驟，其將以下玻璃原料熔融而生成熔融玻璃，上述玻璃原料係以成為以莫耳%計而SiO2為55~80%、Al2O3為3~20%、B2O3為3~15%、RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)為3~25%，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17之關係，應變點為665℃以上，且失透溫度為1250℃以下之玻璃的方式調配而成；成形步驟，其將上述熔融玻璃成形為玻璃板；及緩冷卻步驟，其將上述玻璃板緩冷卻；並且上述玻璃板之熱收縮率為75 ppm以下；其中，上述所謂熱收縮率，係指使用實施升降溫速度為10℃/分、於550℃下保持2小時之熱處理後的玻璃基板之收縮量，利用下述式所求出之值，熱收縮率(ppm)={處理後之玻璃基板之收縮量/熱處理前之玻璃基板之長度}×106。
    [10] 一種形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板之製造方法，其包括：熔融步驟，其將以下玻璃原料熔融而生成熔融玻璃，該玻璃原料係以成為以莫耳%計而SiO2為55~80%、Al2O3為3~20%、B2O3為3~15%、RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)為3~25%，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0之關係，且失透溫度為1250℃以下之玻璃的方式調配而成；成形步驟，其將上述熔融玻璃成形為玻璃板；及緩冷卻步驟，其將上述玻璃板緩冷卻；並且上述玻璃板之熱收縮率為60 ppm以下；其中，上述所謂熱收縮率，係指使用實施升降溫速度為10℃/分、於550℃下保持2小時之熱處理後的玻璃基板之收縮量，利用下述式所求出之值，熱收縮率(ppm)={處理後之玻璃基板之收縮量/熱處理前之玻璃基板之長度}×106。
    [11] 如請求項9或10之形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板之製造方法，其中於上述熔融步驟中，以β-OH成為0.05~0.40 mm-1之方式生成熔融玻璃，於上述緩冷卻步驟中，於自玻璃轉移點(Tg)起至Tg-100℃之溫度範圍內，以50~300℃/分之平均速度將上述玻璃板冷卻。
    [12] 一種平面面板顯示器用玻璃基板，其係包含以下玻璃，且熱收縮率為75 ppm以下；上述玻璃係以莫耳%表示而含有55~80%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、及3~25%之RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17之關係，應變點為665℃以上，且失透溫度為1250℃以下；其中，上述所謂熱收縮率，係指使用實施升降溫速度為10℃/分、於550℃下保持2小時之熱處理後的玻璃基板之收縮量，利用下述式所求出之值，熱收縮率(ppm)={處理後之玻璃基板之收縮量/熱處理前之玻璃基板之長度}×106。
    [13] 一種平面面板顯示器用玻璃基板，其係包含以下玻璃，且熱收縮率為60 ppm以下；上述玻璃係以莫耳%表示而含有55~80%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、及3~25%之RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0之關係，且失透溫度為1250℃以下；其中，上述所謂熱收縮率，係指使用實施升降溫速度為10℃/分、於550℃下保持2小時之熱處理後的玻璃基板之收縮量，利用下述式所求出之值，熱收縮率(ppm)={處理後之玻璃基板之收縮量/熱處理前之玻璃基板之長度}×106。
    [14] 一種形成p-Si-TFT之平面面板顯示器用玻璃基板，其係包含以下玻璃之玻璃基板，且於Tg下保持30分鐘後，以100℃/分冷卻至Tg-100℃，放置冷卻至室溫後，實施升降溫速度為10℃/分、於550℃下保持2小時之熱處理後的上述玻璃基板之熱收縮率為75 ppm以下；上述玻璃係以莫耳%表示而含有55~80%之SiO2、3~20%之Al2O3、3~15%之B2O3、3~25%之RO(MgO、CaO、SrO及BaO之合計量)，SiO2、Al2O3及B2O3之以莫耳%所表示之含有率滿足(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17之關係，應變點為665℃以上，且失透溫度為1250℃以下。
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    TWI529148B|2016-04-11|A method for manufacturing a glass substrate for a display
    JP6539250B2|2019-07-03|フラットパネルディスプレイ用ガラス基板及びその製造方法
    TWI654155B|2019-03-21|顯示器用玻璃基板
    TWI570087B|2017-02-11|Glass substrate for flat panel display and method for manufacturing the same
    TWI510447B|2015-12-01|Glass substrate for flat panel display and method for manufacturing the same
    JP2013212943A|2013-10-17|フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方法
    TWI518045B|2016-01-21|平板顯示器用玻璃基板
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    US9096459B2|2015-08-04|
    JP6149094B2|2017-06-14|
    US20130065748A1|2013-03-14|
    CN103153893B|2015-08-19|
    WO2013005401A1|2013-01-10|
    TW201509859A|2015-03-16|
    TWI529148B|2016-04-11|
    KR20130056203A|2013-05-29|
    JPWO2013005401A1|2015-02-23|
    US20140309098A1|2014-10-16|
    CN103153893A|2013-06-12|
    KR101409534B1|2014-06-19|
    JP2016094339A|2016-05-26|
    TWI546269B|2016-08-21|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    JPS6483538A|1987-09-28|1989-03-29|Nippon Sheet Glass Co Ltd|Glass substrate for electronic apparatus|
    JPH0624998B2|1988-11-11|1994-04-06|セントラル硝子株式会社|無アルカリガラス|
    JP3083586B2|1991-04-26|2000-09-04|旭硝子株式会社|無アルカリガラス|
    US5116788A|1991-08-12|1992-05-26|Corning Incorporated|Alkaline earth aluminoborosilicate glasses for flat panel displays|
    US5116787A|1991-08-12|1992-05-26|Corning Incorporated|High alumina, alkaline earth borosilicate glasses for flat panel displays|
    US5374595A|1993-01-22|1994-12-20|Corning Incorporated|High liquidus viscosity glasses for flat panel displays|
    EP0714862B1|1994-11-30|1999-03-31|Asahi Glass Company Ltd.|Alkali-free glass and flat panel display|
    JP2990379B2|1995-09-28|1999-12-13|日本電気硝子株式会社|無アルカリガラス基板|
    US5824127A|1996-07-19|1998-10-20|Corning Incorporated|Arsenic-free glasses|
    US6060168A|1996-12-17|2000-05-09|Corning Incorporated|Glasses for display panels and photovoltaic devices|
    DE10000838B4|2000-01-12|2005-03-17|Schott Ag|Alkalifreies Aluminoborosilicatglas und dessen Verwendungen|
    CN1324774A|2000-05-24|2001-12-05|彭波|记录装置用玻璃基板的制造方法及其玻璃基板|
    JP2002003240A|2000-06-19|2002-01-09|Nippon Electric Glass Co Ltd|液晶ディスプレイ用ガラス基板|
    JP2002308643A|2001-02-01|2002-10-23|Nippon Electric Glass Co Ltd|無アルカリガラス及びディスプレイ用ガラス基板|
    JP3988456B2|2001-12-21|2007-10-10|日本電気硝子株式会社|ガラス及びディスプレイ用ガラス基板|
    KR20050109929A|2003-03-31|2005-11-22|아사히 가라스 가부시키가이샤|무알칼리 유리|
    JP2004315354A|2003-03-31|2004-11-11|Asahi Glass Co Ltd|無アルカリガラス|
    KR100994095B1|2003-12-26|2010-11-12|아사히 가라스 가부시키가이샤|무알칼리 유리, 그 제조 방법 및 액정 디스플레이 패널|
    JP5109225B2|2003-12-26|2012-12-26|旭硝子株式会社|無アルカリガラスおよび液晶ディスプレイパネル|
    JP2008105860A|2005-01-31|2008-05-08|Nippon Sheet Glass Co Ltd|ガラスの製造方法|
    CN1268567C|2005-02-06|2006-08-09|河南安彩高科股份有限公司|一种无碱金属的玻璃组合物及其制法和应用|
    EP1970354B2|2005-12-16|2019-09-18|Nippon Electric Glass Co., Ltd.|Method for producing non-alkali glass substrate|
    JP5083707B2|2006-01-12|2012-11-28|日本電気硝子株式会社|無アルカリガラス基板の製造方法|
    JP5088670B2|2006-04-11|2012-12-05|日本電気硝子株式会社|ディスプレイ用ガラス基板|
    JP5703535B2|2006-05-23|2015-04-22|日本電気硝子株式会社|無アルカリガラス基板|
    US7534734B2|2006-11-13|2009-05-19|Corning Incorporated|Alkali-free glasses containing iron and tin as fining agents|
    JP5808069B2|2007-02-16|2015-11-10|日本電気硝子株式会社|太陽電池用ガラス基板|
    JP5435394B2|2007-06-08|2014-03-05|日本電気硝子株式会社|強化ガラス基板及びその製造方法|
    JP5327702B2|2008-01-21|2013-10-30|日本電気硝子株式会社|ガラス基板の製造方法|
    JP2009196789A|2008-02-22|2009-09-03|Toshiba Elevator Co Ltd|エレベータシステム|
    KR101233528B1|2008-04-21|2013-02-14|아사히 가라스 가부시키가이샤|디스플레이 패널용 유리판, 그 제조 방법 및 ｔｆｔ 패널의 제조 방법|
    RU2010154445A|2008-05-30|2012-07-10|Фостер Вилер Энергия Ой |Способ и система для генерации энергии путем сжигания в чистом кислороде|
    JP5333984B2|2008-06-27|2013-11-06|日本電気硝子株式会社|無アルカリガラス|
    JP5757451B2|2009-03-18|2015-07-29|日本電気硝子株式会社|無アルカリガラス|
    JP5375385B2|2009-07-13|2013-12-25|日本電気硝子株式会社|ガラス基板の製造方法|
    EP2805929A1|2009-10-19|2014-11-26|Asahi Glass Company, Limited|Glass plate for substrate, method for producing same, and method for producing tft panel|
    WO2013005401A1|2011-07-01|2013-01-10|ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社|フラットパネルディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法|
    WO2013005402A1|2011-07-01|2013-01-10|ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社|フラットパネルディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法|WO2013005401A1|2011-07-01|2013-01-10|ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社|フラットパネルディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法|
    US8746010B2|2012-03-12|2014-06-10|Corning Incorporated|Methods for reducing zirconia defects in glass sheets|
    JP2016084242A|2013-02-19|2016-05-19|旭硝子株式会社|無アルカリガラスおよびその製造方法|
    CN106232538A|2014-04-14|2016-12-14|旭硝子株式会社|热处理用玻璃板|
    KR20170093922A|2014-12-08|2017-08-16|코닝 인코포레이티드|낮은 압축을 갖는 적층 유리 제품 및 이를 형성하는 방법|
    KR20180008387A|2015-05-15|2018-01-24|니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤|강화유리판의 제조 방법, 강화용 유리판 및 강화유리판|
    WO2017002807A1|2015-06-30|2017-01-05|ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社|ディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法|
    JP6378154B2|2015-10-08|2018-08-22|双葉電子工業株式会社|有機ｅｌ表示装置|
    KR102325873B1|2016-04-29|2021-11-12|쇼오트 글라스 테크놀로지스코퍼레이션 리미티드.|고강도 초박형 유리 및 이의 제조 방법|
    CN109153596A|2016-05-25|2019-01-04|Ａｇｃ株式会社|无碱玻璃基板、层叠基板和玻璃基板的制造方法|
    JPWO2018025727A1|2016-08-05|2019-05-30|Ａｇｃ株式会社|無アルカリガラス基板、積層基板、およびガラス基板の製造方法|
    CN107417128A|2017-06-19|2017-12-01|重庆国际复合材料有限公司|一种高耐温玻璃纤维及其制备方法|
    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011147758||2011-07-01||
    JP2012059132||2012-03-15||
    [返回顶部]